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Journal of Electrical Engineering
Édition 66 (2015): Edition 6 (November 2015)
Accès libre
Electrically Active Defects In Solar Cells Based On Amorphous Silicon/Crystalline Silicon Heterojunction After Irradiation By Heavy Xe Ions
Ladislav Harmatha
Ladislav Harmatha
,
Miroslav Mikolášek
Miroslav Mikolášek
,
L’ubica Stuchlíková
L’ubica Stuchlíková
,
Arpád Kósa
Arpád Kósa
,
Milan Žiška
Milan Žiška
,
Ladislav Hrubčín
Ladislav Hrubčín
et
Vladimir A. Skuratov
Vladimir A. Skuratov
| 05 déc. 2015
Journal of Electrical Engineering
Édition 66 (2015): Edition 6 (November 2015)
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Publié en ligne:
05 déc. 2015
Pages:
323 - 328
Reçu:
04 mars 2015
DOI:
https://doi.org/10.2478/jee-2015-0053
Mots clés
silicon HIT solar cell
,
amorphous-crystalline silicon heterostructure
,
DLTS measurement
,
high-energy heavy Xe ions irradiation
,
radiation hardness
© 2015 Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Slovak University of Technology
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 License.