Logowanie
Zarejestruj się
Zresetuj hasło
Publikuj i Dystrybuuj
Rozwiązania Wydawnicze
Rozwiązania Dystrybucyjne
Dziedziny
Architektura i projektowanie
Bibliotekoznawstwo i bibliologia
Biznes i ekonomia
Chemia
Chemia przemysłowa
Filozofia
Fizyka
Historia
Informatyka
Inżynieria
Inżynieria materiałowa
Językoznawstwo i semiotyka
Kulturoznawstwo
Literatura
Matematyka
Medycyna
Muzyka
Nauki farmaceutyczne
Nauki klasyczne i starożytne studia bliskowschodnie
Nauki o Ziemi
Nauki o organizmach żywych
Nauki społeczne
Prawo
Sport i rekreacja
Studia judaistyczne
Sztuka
Teologia i religia
Zagadnienia ogólne
Publikacje
Czasopisma
Książki
Materiały konferencyjne
Wydawcy
Blog
Kontakt
Wyszukiwanie
EUR
USD
GBP
Polski
English
Deutsch
Polski
Español
Français
Italiano
Koszyk
Home
Czasopisma
Journal of Electrical Engineering
Tom 65 (2014): Zeszyt 5 (September 2014)
Otwarty dostęp
Structural Characterization of Doped Thick Gainnas Layers - Ambiguities and Challenges
Damian Pucicki
Damian Pucicki
,
Katarzyna Bielak
Katarzyna Bielak
,
Beata Ściana
Beata Ściana
,
Wojciech Dawidowski
Wojciech Dawidowski
,
Karolina Żelazna
Karolina Żelazna
,
Jarosław Serafińczuk
Jarosław Serafińczuk
,
Jaroslav Kováč
Jaroslav Kováč
,
Andrej Vincze
Andrej Vincze
,
Łukasz Gelczuk
Łukasz Gelczuk
oraz
Piotr Dłużewski
Piotr Dłużewski
| 05 lis 2014
Journal of Electrical Engineering
Tom 65 (2014): Zeszyt 5 (September 2014)
O artykule
Poprzedni artykuł
Następny artykuł
Abstrakt
Referencje
Autorzy
Artykuły w tym zeszycie
Podgląd
PDF
Zacytuj
Udostępnij
Data publikacji:
05 lis 2014
Zakres stron:
299 - 303
Otrzymano:
15 cze 2014
DOI:
https://doi.org/10.2478/jee-2014-0048
Słowa kluczowe
dilute nitrides
,
GaInNAs
,
composition determination
,
HRXRD
© Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Slovak University of Technology
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 License.
Damian Pucicki
Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Wroc law University of Technology, Z. Janiszewskiego 11/17, 50-372, Wroc law, Poland
Katarzyna Bielak
Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Wroc law University of Technology, Z. Janiszewskiego 11/17, 50-372, Wroc law, Poland
Beata Ściana
Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Wroc law University of Technology, Z. Janiszewskiego 11/17, 50-372, Wroc law, Poland
Wojciech Dawidowski
Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Wroc law University of Technology, Z. Janiszewskiego 11/17, 50-372, Wroc law, Poland
Karolina Żelazna
Institute of Physics, Wroc law University of Technology, Wyb. Wyspia´nskiego 27, 50-370, Wroclaw, Poland
Jarosław Serafińczuk
Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Wroc law University of Technology, Z. Janiszewskiego 11/17, 50-372, Wroclaw, Poland
Jaroslav Kováč
Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Slovak University of Technology, Ilkovičova 3, 812 19 Bratislava, Slovakia
Andrej Vincze
International Laser Centre, Ilkovičova 3, 841 04 Bratislava, Slovakia
Łukasz Gelczuk
Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Wroc law University of Technology, Z. Janiszewskiego 11/17, 50-372, Wroc law, Poland
Piotr Dłużewski
Institute of Physics, Polish Academy of Science, Al. Lotników 32/46, 02-668 Warsaw, Poland