Otwarty dostęp

Electronic structure and effective masses of TlInSe2 under pressure

G.S. Orudzhev

G.S. Orudzhev

  • Institute of Physics ANAS,Baku, Azerbaijan
  • Azerbaijan Technical University,Baku, Azerbaijan
Wyszukaj tego autora
Sciendo|Google Scholar
Orudzhev, G.S.
, 
N.A. Ismayilova

N.A. Ismayilova

Institute of Physics ANAS,Baku, Azerbaijan
Wyszukaj tego autora
Sciendo|Google Scholar
Ismayilova, N.A.
 oraz 
V.N. Jafarova

V.N. Jafarova

Institute of Physics ANAS,Baku, Azerbaijan
Wyszukaj tego autora
Sciendo|Google Scholar
Jafarova, V.N.
  
21 mar 2018
Electronic structure and effective masses of TlInSe2 under pressure's Cover Image
O artykule
Poprzedni artykuł
Następny artykuł
Zacytuj
Pobierz okładkę
Data publikacji: 21 mar 2018
Zakres stron: 857 - 860
Otrzymano: 27 maj 2017
Przyjęty: 21 sty 2018
DOI: https://doi.org/10.1515/msp-2018-0007
Słowa kluczowe
© 2018
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 License.
Orudzhev, G.S.
Institute of Physics ANAS,Baku, Azerbaijan
Azerbaijan Technical University,Baku, Azerbaijan
Ismayilova, N.A.
Institute of Physics ANAS,Baku, Azerbaijan
Jafarova, V.N.
Institute of Physics ANAS,Baku, Azerbaijan
Język:
Angielski
Częstotliwość wydawania:
4 razy w roku
Dziedziny czasopisma:
Nauka o materiałach, Nauka o materiałach, inne, Nanomateriały, Funkcjonalne i inteligentne materiały, Charakterystyka i właściwości materiałów
Kanał RSS czasopisma