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Electronic structure and effective masses of TlInSe2 under pressure

G.S. Orudzhev

G.S. Orudzhev

  • Institute of Physics ANAS,Baku, Azerbaijan
  • Azerbaijan Technical University,Baku, Azerbaijan
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Orudzhev, G.S.
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N.A. Ismayilova

N.A. Ismayilova

Institute of Physics ANAS,Baku, Azerbaijan
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V.N. Jafarova

V.N. Jafarova

Institute of Physics ANAS,Baku, Azerbaijan
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Jafarova, V.N.
  
21 mar 2018
Electronic structure and effective masses of TlInSe2 under pressure's Cover Image
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Pubblicato online: 21 mar 2018
Pagine: 857 - 860
Ricevuto: 27 mag 2017
Accettato: 21 gen 2018
DOI: https://doi.org/10.1515/msp-2018-0007
Parole chiave
© 2018
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 License.
Orudzhev, G.S.
Institute of Physics ANAS,Baku, Azerbaijan
Azerbaijan Technical University,Baku, Azerbaijan
Ismayilova, N.A.
Institute of Physics ANAS,Baku, Azerbaijan
Jafarova, V.N.
Institute of Physics ANAS,Baku, Azerbaijan
Lingua:
Inglese
Frequenza di pubblicazione:
4 volte all'anno
Argomenti della rivista:
Scienze materiali, Scienze materiali, altro, Nanomateriali, Materiali funzionali ed intelligenti, Caratteristica e proprietà dei materiali
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