Logowanie
Zarejestruj się
Zresetuj hasło
Publikuj i Dystrybuuj
Rozwiązania Wydawnicze
Rozwiązania Dystrybucyjne
Dziedziny
Architektura i projektowanie
Bibliotekoznawstwo i bibliologia
Biznes i ekonomia
Chemia
Chemia przemysłowa
Filozofia
Fizyka
Historia
Informatyka
Inżynieria
Inżynieria materiałowa
Językoznawstwo i semiotyka
Kulturoznawstwo
Literatura
Matematyka
Medycyna
Muzyka
Nauki farmaceutyczne
Nauki klasyczne i starożytne studia bliskowschodnie
Nauki o Ziemi
Nauki o organizmach żywych
Nauki społeczne
Prawo
Sport i rekreacja
Studia judaistyczne
Sztuka
Teologia i religia
Zagadnienia ogólne
Publikacje
Czasopisma
Książki
Materiały konferencyjne
Wydawcy
Blog
Kontakt
Wyszukiwanie
EUR
USD
GBP
Polski
English
Deutsch
Polski
Español
Français
Italiano
Koszyk
Home
Czasopisma
Materials Science-Poland
Tom 34 (2016): Zeszyt 4 (December 2016)
Otwarty dostęp
Characterization of deep-level defects in GaNAs/GaAs heterostructures grown by APMOVPE
Łukasz Gelczuk
Łukasz Gelczuk
,
Maria Dąbrowska-Szata
Maria Dąbrowska-Szata
,
Beata Ściana
Beata Ściana
,
Damian Pucicki
Damian Pucicki
,
Damian Radziewicz
Damian Radziewicz
,
Krzysztof Kopalko
Krzysztof Kopalko
oraz
Marek Tłaczała
Marek Tłaczała
| 19 gru 2016
Materials Science-Poland
Tom 34 (2016): Zeszyt 4 (December 2016)
O artykule
Poprzedni artykuł
Następny artykuł
Abstrakt
Artykuł
Ilustracje i tabele
Referencje
Autorzy
Artykuły w tym zeszycie
Podgląd
PDF
Zacytuj
Udostępnij
Data publikacji:
19 gru 2016
Zakres stron:
726 - 734
Otrzymano:
18 gru 2015
Przyjęty:
02 lis 2016
DOI:
https://doi.org/10.1515/msp-2016-0126
Słowa kluczowe
GaNAs
,
dilute nitrides
,
deep-level defects
,
DLTS
,
LDLTS
,
APMOVPE
© Wroclaw University of Science and Technology
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 License.