Logowanie
Zarejestruj się
Zresetuj hasło
Publikuj i Dystrybuuj
Rozwiązania Wydawnicze
Rozwiązania Dystrybucyjne
Dziedziny
Architektura i projektowanie
Bibliotekoznawstwo i bibliologia
Biznes i ekonomia
Chemia
Chemia przemysłowa
Filozofia
Fizyka
Historia
Informatyka
Inżynieria
Inżynieria materiałowa
Językoznawstwo i semiotyka
Kulturoznawstwo
Literatura
Matematyka
Medycyna
Muzyka
Nauki farmaceutyczne
Nauki klasyczne i starożytne studia bliskowschodnie
Nauki o Ziemi
Nauki o organizmach żywych
Nauki społeczne
Prawo
Sport i rekreacja
Studia judaistyczne
Sztuka
Teologia i religia
Zagadnienia ogólne
Publikacje
Czasopisma
Książki
Materiały konferencyjne
Wydawcy
Blog
Kontakt
Wyszukiwanie
EUR
USD
GBP
Polski
English
Deutsch
Polski
Español
Français
Italiano
Koszyk
Home
Czasopisma
Journal of Electrical Engineering
Tom 67 (2016): Zeszyt 5 (September 2016)
Otwarty dostęp
Electrophysical Properties of GaAs P–I–N Structures for Concentrator Solar Cell Applications
Arpád Kósa
Arpád Kósa
,
Miroslav Mikolášek
Miroslav Mikolášek
,
Ľubica Stuchlíková
Ľubica Stuchlíková
,
Ladislav Harmatha
Ladislav Harmatha
,
Wojciech Dawidowski
Wojciech Dawidowski
,
Beata Ściana
Beata Ściana
oraz
Marek Tłaczała
Marek Tłaczała
| 02 lis 2016
Journal of Electrical Engineering
Tom 67 (2016): Zeszyt 5 (September 2016)
O artykule
Poprzedni artykuł
Następny artykuł
Abstrakt
Referencje
Autorzy
Artykuły w tym zeszycie
Podgląd
PDF
Zacytuj
Udostępnij
Data publikacji:
02 lis 2016
Zakres stron:
377 - 382
Otrzymano:
14 cze 2016
DOI:
https://doi.org/10.1515/jee-2016-0054
Słowa kluczowe
solar cell
,
GaAs concentrator solar cell
,
– measurement
,
DLTFS
,
defects
© 2016 Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Slovak University of Technology
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 License.