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Journal of Electrical Engineering
Volumen 67 (2016): Edición 5 (September 2016)
Acceso abierto
Electrophysical Properties of GaAs P–I–N Structures for Concentrator Solar Cell Applications
Arpád Kósa
Arpád Kósa
,
Miroslav Mikolášek
Miroslav Mikolášek
,
Ľubica Stuchlíková
Ľubica Stuchlíková
,
Ladislav Harmatha
Ladislav Harmatha
,
Wojciech Dawidowski
Wojciech Dawidowski
,
Beata Ściana
Beata Ściana
y
Marek Tłaczała
Marek Tłaczała
| 02 nov 2016
Journal of Electrical Engineering
Volumen 67 (2016): Edición 5 (September 2016)
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Publicado en línea:
02 nov 2016
Páginas:
377 - 382
Recibido:
14 jun 2016
DOI:
https://doi.org/10.1515/jee-2016-0054
Palabras clave
solar cell
,
GaAs concentrator solar cell
,
– measurement
,
DLTFS
,
defects
© 2016 Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Slovak University of Technology
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 License.