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Journal of Electrical Engineering
Volume 63 (2012): Numero 6 (November 2012)
Accesso libero
Improving the ohmic properties of contacts to P–GaN by adding p–type dopants into the metallization layer
Jozef Liday
Jozef Liday
,
Peter Vogrinčič
Peter Vogrinčič
,
Andrej Vincze
Andrej Vincze
,
Juraj Breza
Juraj Breza
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Ivan Hotový
Ivan Hotový
| 29 dic 2012
Journal of Electrical Engineering
Volume 63 (2012): Numero 6 (November 2012)
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Pubblicato online:
29 dic 2012
Pagine:
397 - 401
DOI:
https://doi.org/10.2478/v10187-012-0059-x
Parole chiave
p-GaN
,
ohmic contact
,
contact resistivity
,
Au/Ni-Mg(Zn)-O/p-GaN contact structure
,
annealing
,
Auger electron spectra
,
secondary ion mass spectra
This content is open access.
Jozef Liday
Slovak University of Technology, Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Ilkoviˇcova 3, 812 19 Bratislava
Peter Vogrinčič
Slovak University of Technology, Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Ilkoviˇcova 3, 812 19 Bratislava
Andrej Vincze
International Laser Centre, Ilkoviˇcova 3, 812 19 Bratislava, Slovakia
Juraj Breza
Slovak University of Technology, Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Ilkoviˇcova 3, 812 19 Bratislava
Ivan Hotový
Slovak University of Technology, Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Ilkoviˇcova 3, 812 19 Bratislava