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Journal of Electrical Engineering
Édition 63 (2012): Edition 6 (November 2012)
Accès libre
Improving the ohmic properties of contacts to P–GaN by adding p–type dopants into the metallization layer
Jozef Liday
Jozef Liday
,
Peter Vogrinčič
Peter Vogrinčič
,
Andrej Vincze
Andrej Vincze
,
Juraj Breza
Juraj Breza
et
Ivan Hotový
Ivan Hotový
| 29 déc. 2012
Journal of Electrical Engineering
Édition 63 (2012): Edition 6 (November 2012)
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Publié en ligne:
29 déc. 2012
Pages:
397 - 401
DOI:
https://doi.org/10.2478/v10187-012-0059-x
Mots clés
p-GaN
,
ohmic contact
,
contact resistivity
,
Au/Ni-Mg(Zn)-O/p-GaN contact structure
,
annealing
,
Auger electron spectra
,
secondary ion mass spectra
This content is open access.
Jozef Liday
Slovak University of Technology, Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Ilkoviˇcova 3, 812 19 Bratislava
Peter Vogrinčič
Slovak University of Technology, Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Ilkoviˇcova 3, 812 19 Bratislava
Andrej Vincze
International Laser Centre, Ilkoviˇcova 3, 812 19 Bratislava, Slovakia
Juraj Breza
Slovak University of Technology, Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Ilkoviˇcova 3, 812 19 Bratislava
Ivan Hotový
Slovak University of Technology, Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Ilkoviˇcova 3, 812 19 Bratislava