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Materials Science-Poland
Volume 38 (2020): Numero 2 (June 2020)
Accesso libero
Pressure dependence of the band gap energy for dilute nitride and antimony GaN
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Chuan-Zhen Zhao
Chuan-Zhen Zhao
,
He-Yu Ren
He-Yu Ren
,
Xiao-Dong Sun
Xiao-Dong Sun
,
Sha-Sha Wang
Sha-Sha Wang
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Ke-Qing Lu
Ke-Qing Lu
| 06 ott 2020
Materials Science-Poland
Volume 38 (2020): Numero 2 (June 2020)
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Pubblicato online:
06 ott 2020
Pagine:
248 - 252
Ricevuto:
11 mag 2017
Accettato:
01 mar 2019
DOI:
https://doi.org/10.2478/msp-2020-0028
Parole chiave
GaNSbAs
,
N level
,
band gap energy
,
Sb level
,
dilute nitride
© 2020 Chuan-Zhen Zhao et al., published by Sciendo
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.