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Pressure dependence of the band gap energy for dilute nitride and antimony GaNxSbyAs1−x−y

Chuan-Zhen Zhao

Chuan-Zhen Zhao

Tianjin Key Laboratory of Optoelectronic Detection Technology and Systems, School of Electronics and Information Engineering, Tianjin Polytechnics UniversityTianjin, China
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Zhao, Chuan-Zhen
, 
He-Yu Ren

He-Yu Ren

Tianjin Key Laboratory of Optoelectronic Detection Technology and Systems, School of Electronics and Information Engineering, Tianjin Polytechnics UniversityTianjin, China
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Ren, He-Yu
, 
Xiao-Dong Sun

Xiao-Dong Sun

Tianjin Key Laboratory of Optoelectronic Detection Technology and Systems, School of Electronics and Information Engineering, Tianjin Polytechnics UniversityTianjin, China
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Sun, Xiao-Dong
, 
Sha-Sha Wang

Sha-Sha Wang

Tianjin Key Laboratory of Optoelectronic Detection Technology and Systems, School of Electronics and Information Engineering, Tianjin Polytechnics UniversityTianjin, China
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Wang, Sha-Sha
 et 
Ke-Qing Lu

Ke-Qing Lu

Tianjin Key Laboratory of Optoelectronic Detection Technology and Systems, School of Electronics and Information Engineering, Tianjin Polytechnics UniversityTianjin, China
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Lu, Ke-Qing
  
06 oct. 2020
Pressure dependence of the band gap energy for dilute nitride and antimony GaNxSbyAs1−x−y's Cover Image
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Publié en ligne: 06 oct. 2020
Pages: 248 - 252
Reçu: 11 mai 2017
Accepté: 01 mars 2019
DOI: https://doi.org/10.2478/msp-2020-0028
Mots clés
© 2020 Chuan-Zhen Zhao et al., published by Sciendo
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
Langue:
Anglais
Périodicité:
4 fois par an
Sujets de la revue:
Sciences des matériaux, Sciences des matériaux, autres, Nanomatériaux, Matériaux fonctionnels et intelligents, Caractérisation et propriétés des matériaux
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