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Journal of Electrical Engineering
Volume 70 (2019): Numero 2 (April 2019)
Accesso libero
A high electrical performance of DG-MOSFET transistors in 4H-SiC and 6H-SiC 130 nm technology by BSIM3v3 model
Mourad Hebali
Mourad Hebali
,
Menaouer Bennaoum
Menaouer Bennaoum
,
Mohammed Berka
Mohammed Berka
,
Abdelkader Baghdad Bey
Abdelkader Baghdad Bey
,
Mohammed Benzohra
Mohammed Benzohra
,
Djilali Chalabi
Djilali Chalabi
e
Abdelkader Saidane
Abdelkader Saidane
| 13 mag 2019
Journal of Electrical Engineering
Volume 70 (2019): Numero 2 (April 2019)
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Pubblicato online:
13 mag 2019
Pagine:
145 - 151
Ricevuto:
08 lug 2018
DOI:
https://doi.org/10.2478/jee-2019-0021
Parole chiave
4H-SiC
,
6H-SiC
,
BSIM3v3
,
DG-MOSFET
,
nm technology
,
4 − characteristics
,
subthreshold operation
© 2019 Mourad Hebali et al., published by Sciendo
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 License.
Mourad Hebali
Department of Electrotechnical, University Mustapha Stambouli Mascara
Mascara, Algeria
Laboratory: CaSiCCe,
Oran, Algeria
Menaouer Bennaoum
Department of Electrotechnical, University Mustapha Stambouli Mascara
Mascara, Algeria
Laboratoire de matriaux appliqus (AML), Universit Djillali Liabs
Sidi Bel-Abbes, Algeria
Mohammed Berka
Department of Electrotechnical, University Mustapha Stambouli Mascara
Mascara, Algeria
Laboratory E.P.O, University of Sidi Bel-Abbes
Sidi Bel-Abbes, Algeria
Abdelkader Baghdad Bey
Department of Electrotechnical, University Mustapha Stambouli Mascara
Mascara, Algeria
Laboratory AMEL, University of Sidi Bel-Abbes
Sidi Bel-Abbes, Algeria
Mohammed Benzohra
Department of Networking and Telecommunications, University of Rouen, Laboratory LECAP
France
Djilali Chalabi
Laboratory: CaSiCCe,
Oran, Algeria
Abdelkader Saidane
Laboratory: CaSiCCe,
Oran, Algeria