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Journal of Electrical Engineering
Volume 64 (2013): Numero 5 (September 2013)
Accesso libero
Ohmic Contacts to P–GaN Based on the Single–Walled Carbon Nanotubes
Jozef Liday
Jozef Liday
,
Peter Vogrinčič
Peter Vogrinčič
,
Viliam Vretenár
Viliam Vretenár
,
Mário Kotlár
Mário Kotlár
,
Marián Marton
Marián Marton
e
Vlastimil Reháček
Vlastimil Reháček
| 15 ott 2013
Journal of Electrical Engineering
Volume 64 (2013): Numero 5 (September 2013)
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Pubblicato online:
15 ott 2013
Pagine:
323 - 326
DOI:
https://doi.org/10.2478/jee-2013-0047
Parole chiave
p-GaN
,
single wall carbon nanotubes (SWCNT)
,
ohmic contact
,
specific contact resistance
,
Au/Cr/SWCNT /p-GaN contact structure
,
RTA
,
Auger electron spectroscopy
This content is open access.
Jozef Liday
Institute of Electronics and Photonics, Slovak University of Technology, Ilkoviova 3, 812 19 Bratislava, Slovakia
Peter Vogrinčič
Institute of Electronics and Photonics, Slovak University of Technology, Ilkoviova 3, 812 19 Bratislava, Slovakia
Viliam Vretenár
Danubia NanoTech, s.r.o., Ilkoviova 3, 841 04 Bratislava, Slovakia
Mário Kotlár
Institute of Electronics and Photonics, Slovak University of Technology, Ilkoviova 3, 812 19 Bratislava, Slovakia
Marián Marton
Institute of Electronics and Photonics, Slovak University of Technology, Ilkoviova 3, 812 19 Bratislava, Slovakia
Vlastimil Reháček
Institute of Electronics and Photonics, Slovak University of Technology, Ilkoviova 3, 812 19 Bratislava, Slovakia