Login
Registrati
Reimposta password
Pubblica & Distribuisci
Soluzioni Editoriali
Soluzioni di Distribuzione
Temi
Architettura e design
Arti
Business e Economia
Chimica
Chimica industriale
Farmacia
Filosofia
Fisica
Geoscienze
Ingegneria
Interesse generale
Legge
Letteratura
Linguistica e semiotica
Matematica
Medicina
Musica
Scienze bibliotecarie e dell'informazione, studi library
Scienze dei materiali
Scienze della vita
Scienze informatiche
Scienze sociali
Sport e tempo libero
Storia
Studi classici e del Vicino Oriente antico
Studi culturali
Studi ebraici
Teologia e religione
Pubblicazioni
Riviste
Libri
Atti
Editori
Blog
Contatti
Cerca
EUR
USD
GBP
Italiano
English
Deutsch
Polski
Español
Français
Italiano
Carrello
Home
Riviste
Journal of Electrical Engineering
Volume 64 (2013): Numero 5 (September 2013)
Accesso libero
Ohmic Contacts to P–GaN Based on the Single–Walled Carbon Nanotubes
Jozef Liday
Jozef Liday
,
Peter Vogrinčič
Peter Vogrinčič
,
Viliam Vretenár
Viliam Vretenár
,
Mário Kotlár
Mário Kotlár
,
Marián Marton
Marián Marton
e
Vlastimil Reháček
Vlastimil Reháček
| 15 ott 2013
Journal of Electrical Engineering
Volume 64 (2013): Numero 5 (September 2013)
INFORMAZIONI SU QUESTO ARTICOLO
Articolo precedente
Articolo Successivo
Sommario
Bibliografia
Autori
Articoli in questo Numero
Anteprima
PDF
Cita
CONDIVIDI
Pubblicato online:
15 ott 2013
Pagine:
323 - 326
DOI:
https://doi.org/10.2478/jee-2013-0047
Parole chiave
p-GaN
,
single wall carbon nanotubes (SWCNT)
,
ohmic contact
,
specific contact resistance
,
Au/Cr/SWCNT /p-GaN contact structure
,
RTA
,
Auger electron spectroscopy
This content is open access.