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Journal of Electrical Engineering
Volumen 64 (2013): Edición 5 (September 2013)
Acceso abierto
Ohmic Contacts to P–GaN Based on the Single–Walled Carbon Nanotubes
Jozef Liday
Jozef Liday
,
Peter Vogrinčič
Peter Vogrinčič
,
Viliam Vretenár
Viliam Vretenár
,
Mário Kotlár
Mário Kotlár
,
Marián Marton
Marián Marton
y
Vlastimil Reháček
Vlastimil Reháček
| 15 oct 2013
Journal of Electrical Engineering
Volumen 64 (2013): Edición 5 (September 2013)
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Publicado en línea:
15 oct 2013
Páginas:
323 - 326
DOI:
https://doi.org/10.2478/jee-2013-0047
Palabras clave
p-GaN
,
single wall carbon nanotubes (SWCNT)
,
ohmic contact
,
specific contact resistance
,
Au/Cr/SWCNT /p-GaN contact structure
,
RTA
,
Auger electron spectroscopy
This content is open access.