Login
Registrati
Reimposta password
Pubblica & Distribuisci
Soluzioni Editoriali
Soluzioni di Distribuzione
Temi
Architettura e design
Arti
Business e Economia
Chimica
Chimica industriale
Farmacia
Filosofia
Fisica
Geoscienze
Ingegneria
Interesse generale
Legge
Letteratura
Linguistica e semiotica
Matematica
Medicina
Musica
Scienze bibliotecarie e dell'informazione, studi library
Scienze dei materiali
Scienze della vita
Scienze informatiche
Scienze sociali
Sport e tempo libero
Storia
Studi classici e del Vicino Oriente antico
Studi culturali
Studi ebraici
Teologia e religione
Pubblicazioni
Riviste
Libri
Atti
Editori
Blog
Contatti
Cerca
EUR
USD
GBP
Italiano
English
Deutsch
Polski
Español
Français
Italiano
Carrello
Home
Riviste
International Journal on Smart Sensing and Intelligent Systems
Volume 13 (2020): Numero 1 (January 2020)
Accesso libero
Impact of lanthanum doped zirconium oxide (LaZrO
2
) gate dielectric material on FinFET inverter
Gurpurneet Kaur
Gurpurneet Kaur
,
Sandeep Singh Gill
Sandeep Singh Gill
e
Munish Rattan
Munish Rattan
| 19 nov 2020
International Journal on Smart Sensing and Intelligent Systems
Volume 13 (2020): Numero 1 (January 2020)
INFORMAZIONI SU QUESTO ARTICOLO
Articolo precedente
Articolo Successivo
Sommario
Articolo
Immagini e tabelle
Bibliografia
Autori
Articoli in questo Numero
Anteprima
PDF
Cita
CONDIVIDI
Article Category:
Research-Article
Pubblicato online:
19 nov 2020
Pagine:
1 - 10
Ricevuto:
19 set 2020
DOI:
https://doi.org/10.21307/ijssis-2020-032
Parole chiave
FinFET
,
Inverter
,
Dielectric
,
Subthreshold swing
,
Drain-induced barrier lowering
,
Transconductance
© 2020 Gurpurneet Kaur et al., published by Sciendo
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
Gurpurneet Kaur
I. K. Gujral Punjab Technical University
Punjab, India
Sandeep Singh Gill
National Institute of Technical Teachers Training and Research
Punjab, India
Munish Rattan
Guru Nanak Dev Engineering College
Punjab, India