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International Journal on Smart Sensing and Intelligent Systems
Édition 13 (2020): Edition 1 (January 2020)
Accès libre
Impact of lanthanum doped zirconium oxide (LaZrO
2
) gate dielectric material on FinFET inverter
Gurpurneet Kaur
Gurpurneet Kaur
,
Sandeep Singh Gill
Sandeep Singh Gill
et
Munish Rattan
Munish Rattan
| 19 nov. 2020
International Journal on Smart Sensing and Intelligent Systems
Édition 13 (2020): Edition 1 (January 2020)
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Article Category:
Research-Article
Publié en ligne:
19 nov. 2020
Pages:
1 - 10
Reçu:
19 sept. 2020
DOI:
https://doi.org/10.21307/ijssis-2020-032
Mots clés
FinFET
,
Inverter
,
Dielectric
,
Subthreshold swing
,
Drain-induced barrier lowering
,
Transconductance
© 2020 Gurpurneet Kaur et al., published by Sciendo
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
Gurpurneet Kaur
I. K. Gujral Punjab Technical University
Punjab, India
Sandeep Singh Gill
National Institute of Technical Teachers Training and Research
Punjab, India
Munish Rattan
Guru Nanak Dev Engineering College
Punjab, India