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Inhomogeneous GaInNAs quantum wells: their properties and utilization for improving of p-i-n and p-n junction photodetectors

D. Pucicki

D. Pucicki

Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Wroclaw University of Science and Technolgy, Janiszewskiego 11/17, 50-372Wroclaw, Poland
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Pucicki, D.
  
20 mar 2018
Inhomogeneous GaInNAs quantum wells: their properties and utilization for improving of p-i-n and p-n junction photodetectors's Cover Image
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Pubblicato online: 20 mar 2018
Pagine: 893 - 902
Ricevuto: 23 ott 2017
Accettato: 12 dic 2017
DOI: https://doi.org/10.1515/msp-2017-0110
Parole chiave
© 2018
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 License.
Pucicki, D.
Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Wroclaw University of Science and Technolgy, Janiszewskiego 11/17, 50-372Wroclaw, Poland
Lingua:
Inglese
Frequenza di pubblicazione:
4 volte all'anno
Argomenti della rivista:
Scienze materiali, Scienze materiali, altro, Nanomateriali, Materiali funzionali ed intelligenti, Caratteristica e proprietà dei materiali
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