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Electrical performance estimation and comparative study of heterojunction strained and conventional gate all around nanosheet field effect transistors

Reza Abbasnezhad

Reza Abbasnezhad

Department of Electrical Engineering, Shabestar Branch, Islamic Azad UniversityShabestar, Iran
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Abbasnezhad, Reza
, 
Hassan Rasooli Saghai

Hassan Rasooli Saghai

Department of Electrical Engineering, Tabriz Branch, Islamic Azad UniversityTabriz, Iran
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Saghai, Hassan Rasooli
, 
Reza Hosseini

Reza Hosseini

Department of Electrical Engineering, Khoy Branch, Islamic Azad UniversityKhoy, Iran
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Hosseini, Reza
, 
Aliasghar Sedghi

Aliasghar Sedghi

Department of Physics, Shabestar Branch, Islamic Azad UniversityShabestar, Iran
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Sedghi, Aliasghar
 et 
Ali Vahedi

Ali Vahedi

Department of Physics, Tabriz Branch, Islamic Azad UniversityTabriz, Iran
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Vahedi, Ali
  
14 déc. 2023
Electrical performance estimation and comparative study of heterojunction strained and conventional gate all around nanosheet field effect transistors's Cover Image
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Publié en ligne: 14 déc. 2023
Pages: 503 - 512
Reçu: 02 oct. 2023
DOI: https://doi.org/10.2478/jee-2023-0058
Mots clés
© 2023 Reza Abbasnezhad et al., published by Sciendo
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
Langue:
Anglais
Périodicité:
6 fois par an
Sujets de la revue:
Ingénierie, Présentations et aperçus, Ingénierie, autres
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