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Journal of Electrical Engineering
Volumen 74 (2023): Edición 6 (December 2023)
Acceso abierto
Electrical performance estimation and comparative study of heterojunction strained and conventional gate all around nanosheet field effect transistors
Reza Abbasnezhad
Reza Abbasnezhad
,
Hassan Rasooli Saghai
Hassan Rasooli Saghai
,
Reza Hosseini
Reza Hosseini
,
Aliasghar Sedghi
Aliasghar Sedghi
y
Ali Vahedi
Ali Vahedi
| 14 dic 2023
Journal of Electrical Engineering
Volumen 74 (2023): Edición 6 (December 2023)
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Publicado en línea:
14 dic 2023
Páginas:
503 - 512
Recibido:
02 oct 2023
DOI:
https://doi.org/10.2478/jee-2023-0058
Palabras clave
nanosheet
,
heterojunction GAA NS FET
,
conventional GAA NS FET
,
density gradient
,
on-state
,
off-state
© 2023 Reza Abbasnezhad et al., published by Sciendo
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.