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Materials Science-Poland
Édition 34 (2016): Edition 4 (December 2016)
Accès libre
Scanning capacitance microscopy characterization of AIIIBV epitaxial layers
Adam Szyszka
Adam Szyszka
,
Michał Obłąk
Michał Obłąk
,
Tomasz Szymański
Tomasz Szymański
,
Mateusz Wośko
Mateusz Wośko
,
Wojciech Dawidowski
Wojciech Dawidowski
et
Regina Paszkiewicz
Regina Paszkiewicz
| 04 janv. 2017
Materials Science-Poland
Édition 34 (2016): Edition 4 (December 2016)
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Publié en ligne:
04 janv. 2017
Pages:
845 - 850
Reçu:
19 avr. 2016
Accepté:
07 sept. 2016
DOI:
https://doi.org/10.1515/msp-2016-0104
Mots clés
scanning capacitance microscopy (SCM)
,
atomic force microscopy (AFM)
,
GaAs
,
InGaAs
,
AlGaN/GaN
© 2016 Wroclaw University of Technology
This article is distributed under the terms of the Creative Commons Attribution Non-Commercial License, which permits unrestricted non-commercial use, distribution, and reproduction in any medium, provided the original work is properly cited.
Schematic cross section of the test GaAs multilayer sample.
E-CV (a) and SCM (b) profile of the GaAs test sample.
Calibration curves of SCM measurement.
Schematic cross section of InGaAs tunnel junction sample.
E-CV (a) and SCM (b) profiles of InGaAs tunnel junction sample.
Schematic cross-section of AlGaN/GaN/Si heterostructure.
Topography profile (blue) and SCM signal scan (red) of AlGaN/GaN/Si heterostructure.