This article is distributed under the terms of the Creative Commons Attribution Non-Commercial License, which permits unrestricted non-commercial use, distribution, and reproduction in any medium, provided the original work is properly cited.
Szyszka A., Ściana B., Radziewicz D., Macherzyński W., Paszkiewicz B., Tłczała M., Opt. Appl., 41 (2011), 281.SzyszkaA.ŚcianaB.RadziewiczD.MacherzyńskiW.PaszkiewiczB.TłczałaM.Opt. Appl412011281Search in Google Scholar
Moczała M., Sosa N., Topol A., Gotszalk T.,Ultramicroscopy, 141 (2014), 1.MoczałaM.SosaN.TopolA.GotszalkT.Ultramicroscopy1412014110.1016/j.ultramic.2014.02.007Search in Google Scholar
Park K. W., Nair H. P., Crook A. M., Bank S. R., Yu E. T., Appl. Phys. Lett., 99 (2011), 133114.ParkK. W.NairH. P.CrookA. M.BankS. R.YuE. T.Appl. Phys. Lett99201113311410.1063/1.3644144Search in Google Scholar
Bassani F., Periwal P., Salem B., Chevalier N., Mariolle D., Audoit G., Gentile P., Baron T., Phys. Status Solidi-R, 8 (2014), 312.BassaniF.PeriwalP.SalemB.ChevalierN.MariolleD.AudoitG.GentileP.BaronT.Phys. Status Solidi-R8201431210.1002/pssr.201409041Search in Google Scholar
Gogheroa D., Giannazzob F., Raineria V., Mater. Sci. Eng. B-Adv., 102 (2003), 152.GogheroaD.GiannazzobF.RaineriaV.Mater. Sci. Eng. B-Adv102200315210.1016/S0921-5107(02)00637-2Search in Google Scholar
Bhushan B. (Ed.), Scanning Probe Microscopy in Nanoscience and Nanotechnology 2, Springer-Verlag, Berlin Heidelberg, 2001.BhushanB.Scanning Probe Microscopy in Nanoscience and Nanotechnology 2Springer-VerlagBerlin Heidelberg2001Search in Google Scholar
Ściana B., Radziewicz D., Pucicki D., Tłaczała M., Seęk G., Poloczek P., Misiewicz J., Kováč J., Srnanek R., Christofi A., Mater. Sci.-Poland, 26 (2008), 71.ŚcianaB.RadziewiczD.PucickiD.TłaczałaM.SeękG.PoloczekP.MisiewiczJ.KováčJ.SrnanekR.ChristofiA.Mater. Sci.-Poland26200871Search in Google Scholar
Dawidowski W., Ściana B., Zborowskalinder I., Mikolášek M., Latkowska M., Radziewicz D., Pucicki D., Bielak K., Badura M., Kováč J., Tłaczała M., Int. J. Electron. Telecommun., 60 (2014), 151.DawidowskiW.ŚcianaB.ZborowskalinderI.MikolášekM.LatkowskaM.RadziewiczD.PucickiD.BielakK.BaduraM.KováčJ.TłaczałaM.Int. J. Electron. Telecommun60201415110.2478/eletel-2014-0018Search in Google Scholar
Szymański T., Wośko M., Paszkiewicz B., Paszkiewicz R., Drzik M., J. Vac. Sci. Technol. A,33 (2015), 041506.SzymańskiT.WośkoM.PaszkiewiczB.PaszkiewiczR.DrzikM.J. Vac. Sci. Technol. A33201504150610.1116/1.4921581Search in Google Scholar
Smith K.V., Dang X.Z., Yua E.T., Redwing J.M., J. Vac. Sci. Technol. B, 18 (2000), 2304.SmithK.V.DangX.Z.YuaE.T.RedwingJ.M.J. Vac. Sci. Technol. B182000230410.1116/1.1303738Search in Google Scholar
Yin H., Lii T., Wang W., Hu W., Lin L., Lu W., Appl. Phys. Lett., 95 (2009), 093506.YinH.LiiT.WangW.HuW.LinL.LuW.Appl. Phys. Lett95200909350610.1063/1.3216847Search in Google Scholar
Szyszka A., Ściana B., Radziewicz D., Macherzyński W., Paszkiewicz B., Tłaczała M., Opt. Appl., 41 (2011), 281.SzyszkaA.ŚcianaB.RadziewiczD.MacherzyńskiW.PaszkiewiczB.TłaczałaM.Opt. Appl412011281Search in Google Scholar
Krost A., Dadgar A., Strassburger G., Clos R., Phys. Status Solidi-R, 200 (2003), 26.KrostA.DadgarA.StrassburgerG.ClosR.Phys. Status Solidi-R20020032610.1002/pssa.200303428Search in Google Scholar
Wośko M., Paszkiewicz B., Szymański T., Paszkiewicz R., J. Cryst. Growth, 414 (2015), 248.WośkoM.PaszkiewiczB.SzymańskiT.PaszkiewiczR.J. Cryst. Growth414201524810.1016/j.jcrysgro.2014.10.048Search in Google Scholar
