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Materials Science-Poland
Volumen 37 (2019): Edición 3 (Septiembre 2019)
Acceso abierto
Role of RF power on physical properties of RF magnetron sputtered GaN/p-Si(1 0 0) thin film
Asim Mantarci
Asim Mantarci
Department of Physics, Faculty of Art and Science, Muş Alparslan University
Muş, Turkey
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Mantarci, Asim
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Mutlu Kundakçi
Mutlu Kundakçi
Department of Physics, Faculty of Science, Atatürk University
Erzurum, Turkey
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Kundakçi, Mutlu
18 oct 2019
Materials Science-Poland
Volumen 37 (2019): Edición 3 (Septiembre 2019)
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Publicado en línea:
18 oct 2019
Páginas:
454 - 464
Recibido:
23 jul 2018
Aceptado:
01 mar 2019
DOI:
https://doi.org/10.2478/msp-2019-0052
Palabras clave
RF magnetron sputtering
,
thin film
,
III-nitride
,
GaN
,
semiconductor
© 2019 Asim Mantarci et al., published by Sciendo
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 License.
