Acceso abierto

Device Application of Non-Equilibrium MOS Capacitors Fabricated on High Resistivity Silicon


Cite

O. Malik
Electronics DepartmentINAOE, Puebla, Mexico
F. J. De la Hidalga-W
Electronics DepartmentINAOE, Puebla, Mexico
eISSN:
1178-5608
Idioma:
Inglés
Calendario de la edición:
Volume Open
Temas de la revista:
Engineering, Introductions and Overviews, other