Uneingeschränkter Zugang

Device Application of Non-Equilibrium MOS Capacitors Fabricated on High Resistivity Silicon


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O. Malik
Electronics DepartmentINAOE, Puebla, Mexico
F. J. De la Hidalga-W
Electronics DepartmentINAOE, Puebla, Mexico
eISSN:
1178-5608
Sprache:
Englisch
Zeitrahmen der Veröffentlichung:
Volume Open
Fachgebiete der Zeitschrift:
Technik, Einführungen und Gesamtdarstellungen, andere