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The influence of Kanthal wire surface defects on the formation of Si nanolayer deposited by PVD method

Mieczysław Szczypiński

Mieczysław Szczypiński

PPHU TERMEX sp. z o.o.,Koszalin, Poland
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Szczypiński, Mieczysław
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Kazimierz Reszka

Kazimierz Reszka

Koszalin University of Technology, 75-453Koszalin, Poland
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Michał M. Szczypiński

Michał M. Szczypiński

Technical University of Liberec, 461 17Liberec, Czech Republic
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Szczypiński, Michał M.
  
25 jun 2018
The influence of Kanthal wire surface defects on the formation of Si nanolayer deposited by PVD method's Cover Image
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Publicado en línea: 25 jun 2018
Páginas: 264 - 269
Recibido: 18 mar 2017
Aceptado: 15 mar 2018
DOI: https://doi.org/10.1515/msp-2018-0038
Palabras clave
© 2018 Mieczysław Szczypiński et al., published by Sciendo
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 License.
Szczypiński, Mieczysław
PPHU TERMEX sp. z o.o.,Koszalin, Poland
Reszka, Kazimierz
Koszalin University of Technology, 75-453Koszalin, Poland
Szczypiński, Michał M.
Technical University of Liberec, 461 17Liberec, Czech Republic
Idioma:
Inglés
Calendario de la edición:
4 veces al año
Temas de la revista:
Ciencia de los materiales, Ciencia de los materiales, otros, Nanomateriales, Materiales funcionales e inteligentes, Características y propiedades de los materiales
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