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Materials Science-Poland
Volumen 34 (2016): Edición 1 (March 2016)
Acceso abierto
Structural and optoelectronic properties of glucose capped Al and Cu doped ZnO nanostructures
Gunjan Patwari
Gunjan Patwari
,
Pradip Kumar Kalita
Pradip Kumar Kalita
y
Ranjit Singha
Ranjit Singha
| 27 abr 2016
Materials Science-Poland
Volumen 34 (2016): Edición 1 (March 2016)
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Article Category:
Research Article
Publicado en línea:
27 abr 2016
Páginas:
69 - 78
Recibido:
25 abr 2015
Aceptado:
08 ene 2016
DOI:
https://doi.org/10.1515/msp-2016-0030
Palabras clave
d-value
,
doping
,
defects
,
band gap
,
Burstein-Moss effect
,
conductivity
© 2016 Wroclaw University of Technology
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 License.
Gunjan Patwari
Department of Physics, Assam University (Diphu Campus), 782 460,
India
Pradip Kumar Kalita
Department of Physics, Rajiv Gandhi University, Itanagar, 791 112,
India
Ranjit Singha
Department of Physics, Assam University (Diphu Campus), 782 460,
India