Iniciar sesión
Registrarse
Restablecer contraseña
Publicar y Distribuir
Soluciones de Publicación
Soluciones de Distribución
Temas
Arquitectura y diseño
Artes
Ciencias Sociales
Ciencias de la Información y Bibliotecas, Estudios del Libro
Ciencias de la vida
Ciencias de los materiales
Deporte y tiempo libre
Estudios clásicos y del Cercano Oriente antiguo
Estudios culturales
Estudios judíos
Farmacia
Filosofía
Física
Geociencias
Historia
Informática
Ingeniería
Interés general
Ley
Lingüística y semiótica
Literatura
Matemáticas
Medicina
Música
Negocios y Economía
Química
Química industrial
Teología y religión
Publicaciones
Revistas
Libros
Actas
Editoriales
Blog
Contacto
Buscar
EUR
USD
GBP
Español
English
Deutsch
Polski
Español
Français
Italiano
Carrito
Home
Revistas
Materials Science-Poland
Volumen 34 (2016): Edición 1 (March 2016)
Acceso abierto
Structural and optoelectronic properties of glucose capped Al and Cu doped ZnO nanostructures
Gunjan Patwari
Gunjan Patwari
,
Pradip Kumar Kalita
Pradip Kumar Kalita
y
Ranjit Singha
Ranjit Singha
| 27 abr 2016
Materials Science-Poland
Volumen 34 (2016): Edición 1 (March 2016)
Acerca de este artículo
Artículo anterior
Artículo siguiente
Resumen
Artículo
Figuras y tablas
Referencias
Autores
Artículos en este número
Vista previa
PDF
Cite
Compartir
Article Category:
Research Article
Publicado en línea:
27 abr 2016
Páginas:
69 - 78
Recibido:
25 abr 2015
Aceptado:
08 ene 2016
DOI:
https://doi.org/10.1515/msp-2016-0030
Palabras clave
d-value
,
doping
,
defects
,
band gap
,
Burstein-Moss effect
,
conductivity
© 2016 Wroclaw University of Technology
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 License.