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Journal of Electrical Engineering
Band 74 (2023): Heft 6 (December 2023)
Uneingeschränkter Zugang
Electrical performance estimation and comparative study of heterojunction strained and conventional gate all around nanosheet field effect transistors
Reza Abbasnezhad
Reza Abbasnezhad
,
Hassan Rasooli Saghai
Hassan Rasooli Saghai
,
Reza Hosseini
Reza Hosseini
,
Aliasghar Sedghi
Aliasghar Sedghi
und
Ali Vahedi
Ali Vahedi
| 14. Dez. 2023
Journal of Electrical Engineering
Band 74 (2023): Heft 6 (December 2023)
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Online veröffentlicht:
14. Dez. 2023
Seitenbereich:
503 - 512
Eingereicht:
02. Okt. 2023
DOI:
https://doi.org/10.2478/jee-2023-0058
Schlüsselwörter
nanosheet
,
heterojunction GAA NS FET
,
conventional GAA NS FET
,
density gradient
,
on-state
,
off-state
© 2023 Reza Abbasnezhad et al., published by Sciendo
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
Reza Abbasnezhad
Department of Electrical Engineering, Shabestar Branch, Islamic Azad University
Shabestar, Iran
Hassan Rasooli Saghai
Department of Electrical Engineering, Tabriz Branch, Islamic Azad University
Tabriz, Iran
Reza Hosseini
Department of Electrical Engineering, Khoy Branch, Islamic Azad University
Khoy, Iran
Aliasghar Sedghi
Department of Physics, Shabestar Branch, Islamic Azad University
Shabestar, Iran
Ali Vahedi
Department of Physics, Tabriz Branch, Islamic Azad University
Tabriz, Iran