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Journal of Electrical Engineering
Band 70 (2019): Heft 2 (April 2019)
Uneingeschränkter Zugang
A high electrical performance of DG-MOSFET transistors in 4H-SiC and 6H-SiC 130 nm technology by BSIM3v3 model
Mourad Hebali
Mourad Hebali
,
Menaouer Bennaoum
Menaouer Bennaoum
,
Mohammed Berka
Mohammed Berka
,
Abdelkader Baghdad Bey
Abdelkader Baghdad Bey
,
Mohammed Benzohra
Mohammed Benzohra
,
Djilali Chalabi
Djilali Chalabi
und
Abdelkader Saidane
Abdelkader Saidane
| 13. Mai 2019
Journal of Electrical Engineering
Band 70 (2019): Heft 2 (April 2019)
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Online veröffentlicht:
13. Mai 2019
Seitenbereich:
145 - 151
Eingereicht:
08. Juli 2018
DOI:
https://doi.org/10.2478/jee-2019-0021
Schlüsselwörter
4H-SiC
,
6H-SiC
,
BSIM3v3
,
DG-MOSFET
,
nm technology
,
4 − characteristics
,
subthreshold operation
© 2019 Mourad Hebali et al., published by Sciendo
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 License.