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Journal of Electrical Engineering
Band 65 (2014): Heft 5 (September 2014)
Uneingeschränkter Zugang
Electrical Properties of Recessed Algan/Gan Schottky Diodes Under off–State Stress
Martin Florovič
Martin Florovič
,
Jaroslav Kováč
Jaroslav Kováč
,
Peter Benko
Peter Benko
,
Aleš Chvála
Aleš Chvála
,
Jaroslava Škriniarová
Jaroslava Škriniarová
und
Peter Kordó
Peter Kordó
| 05. Nov. 2014
Journal of Electrical Engineering
Band 65 (2014): Heft 5 (September 2014)
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Online veröffentlicht:
05. Nov. 2014
Seitenbereich:
313 - 316
Eingereicht:
15. Juni 2014
DOI:
https://doi.org/10.2478/jee-2014-0051
Schlüsselwörter
AlGaN/GaN Schottky diode
,
2DEG
,
off-state stress
,
traps
,
recess
© Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Slovak University of Technology
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 License.
Martin Florovič
Institute of Electronics and Photonics, Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Ilkovičova 3, 812 19 Bratislava, Slovakia
Jaroslav Kováč
Institute of Electronics and Photonics, Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Ilkovičova 3, 812 19 Bratislava, Slovakia
Peter Benko
Institute of Electronics and Photonics, Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Ilkovičova 3, 812 19 Bratislava, Slovakia
Aleš Chvála
Institute of Electronics and Photonics, Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Ilkovičova 3, 812 19 Bratislava, Slovakia
Jaroslava Škriniarová
Institute of Electronics and Photonics, Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Ilkovičova 3, 812 19 Bratislava, Slovakia
Peter Kordó
Institute of Electronics and Photonics, Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Ilkovičova 3, 812 19 Bratislava, Slovakia