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Electrical Properties of Recessed Algan/Gan Schottky Diodes Under off–State Stress

Martin Florovič

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Kordó, Peter
  
05. Nov. 2014
Electrical Properties of Recessed Algan/Gan Schottky Diodes Under off–State Stress's Cover Image
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Online veröffentlicht: 05. Nov. 2014
Seitenbereich: 313 - 316
Eingereicht: 15. Juni 2014
DOI: https://doi.org/10.2478/jee-2014-0051
Schlüsselwörter
© Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Slovak University of Technology
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 License.
Sprache:
Englisch
Zeitrahmen der Veröffentlichung:
6 Hefte pro Jahr
Fachgebiete der Zeitschrift:
Technik, Einführungen und Gesamtdarstellungen, Technik, andere
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