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Impact of lanthanum doped zirconium oxide (LaZrO2) gate dielectric material on FinFET inverter

Gurpurneet Kaur

Gurpurneet Kaur

I. K. Gujral Punjab Technical UniversityPunjab, India
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Kaur, Gurpurneet
, 
Sandeep Singh Gill

Sandeep Singh Gill

National Institute of Technical Teachers Training and ResearchPunjab, India
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Gill, Sandeep Singh
 und 
Munish Rattan

Munish Rattan

Guru Nanak Dev Engineering CollegePunjab, India
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Rattan, Munish
  
19. Nov. 2020
Impact of lanthanum doped zirconium oxide (LaZrO2) gate dielectric material on FinFET inverter's Cover Image
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Artikel-Kategorie: Research-Article
Online veröffentlicht: 19. Nov. 2020
Seitenbereich: 1 - 10
Eingereicht: 19. Sept. 2020
DOI: https://doi.org/10.21307/ijssis-2020-032
Schlüsselwörter
© 2020 Gurpurneet Kaur et al., published by Sciendo
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
Kaur, Gurpurneet
I. K. Gujral Punjab Technical UniversityPunjab, India
Gill, Sandeep Singh
National Institute of Technical Teachers Training and ResearchPunjab, India
Rattan, Munish
Guru Nanak Dev Engineering CollegePunjab, India
Sprache:
Englisch
Zeitrahmen der Veröffentlichung:
1 Hefte pro Jahr
Fachgebiete der Zeitschrift:
Technik, Einführungen und Gesamtdarstellungen, Technik, andere
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