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Impact of lanthanum doped zirconium oxide (LaZrO2) gate dielectric material on FinFET inverter

Gurpurneet Kaur

Gurpurneet Kaur

I. K. Gujral Punjab Technical UniversityPunjab, India
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Kaur, Gurpurneet
, 
Sandeep Singh Gill

Sandeep Singh Gill

National Institute of Technical Teachers Training and ResearchPunjab, India
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Gill, Sandeep Singh
 und 
Munish Rattan

Munish Rattan

Guru Nanak Dev Engineering CollegePunjab, India
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Rattan, Munish
  
19. Nov. 2020
Impact of lanthanum doped zirconium oxide (LaZrO2) gate dielectric material on FinFET inverter's Cover Image
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Artikel-Kategorie: Research-Article
Online veröffentlicht: 19. Nov. 2020
Seitenbereich: 1 - 10
Eingereicht: 19. Sept. 2020
DOI: https://doi.org/10.21307/ijssis-2020-032
Schlüsselwörter
© 2020 Gurpurneet Kaur et al., published by Sciendo
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
Sprache:
Englisch
Zeitrahmen der Veröffentlichung:
1 Hefte pro Jahr
Fachgebiete der Zeitschrift:
Technik, Einführungen und Gesamtdarstellungen, Technik, andere
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