Login
Registrieren
Passwort zurücksetzen
Veröffentlichen & Verteilen
Verlagslösungen
Vertriebslösungen
Themen
Allgemein
Altertumswissenschaften
Architektur und Design
Bibliotheks- und Informationswissenschaft, Buchwissenschaft
Biologie
Chemie
Geowissenschaften
Geschichte
Industrielle Chemie
Informatik
Jüdische Studien
Kulturwissenschaften
Kunst
Linguistik und Semiotik
Literaturwissenschaft
Materialwissenschaft
Mathematik
Medizin
Musik
Pharmazie
Philosophie
Physik
Rechtswissenschaften
Sozialwissenschaften
Sport und Freizeit
Technik
Theologie und Religion
Wirtschaftswissenschaften
Veröffentlichungen
Zeitschriften
Bücher
Konferenzberichte
Verlage
Blog
Kontakt
Suche
EUR
USD
GBP
Deutsch
English
Deutsch
Polski
Español
Français
Italiano
Warenkorb
Home
Zeitschriften
Materials Science-Poland
Band 34 (2016): Heft 2 (June 2016)
Uneingeschränkter Zugang
Compositional analysis of silicon oxide/silicon nitride thin films
Samir Meziani
Samir Meziani
,
Abderrahmane Moussi
Abderrahmane Moussi
,
Linda Mahiou
Linda Mahiou
und
Ratiba Outemzabet
Ratiba Outemzabet
| 10. Juni 2016
Materials Science-Poland
Band 34 (2016): Heft 2 (June 2016)
Über diesen Artikel
Vorheriger Artikel
Nächster Artikel
Zusammenfassung
Artikel
Figuren und Tabellen
Referenzen
Autoren
Artikel in dieser Ausgabe
Vorschau
PDF
Zitieren
Teilen
Article Category:
Research Article
Online veröffentlicht:
10. Juni 2016
Seitenbereich:
315 - 321
Eingereicht:
23. Juni 2015
Akzeptiert:
28. Apr. 2016
DOI:
https://doi.org/10.1515/msp-2016-0057
© Wroclaw University of Technology
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 License.
Fig. 1
Depth profiles of Si, O, N and H in an ON structure annealed at 700 °C.
Fig. 2
SIMS depth distribution of oxygen concentration for samples annealed at different temperatures.
Fig. 3
SIMS depth distributions of Si/N ratio on ON structure for as-deposited and annealed at: 500 °C, 700 °C, 900 °C and 1000 °C.
Fig. 4
SIMS depth distributions of O/N ratio for as deposited and annealed films at temperatures 500 °C, 700 °C, 900 °C and 1000 °C.
Fig. 5
Typical RBS spectrum of ON structure recorded with He+2 ions at 2 MeV. Simulation by SIMNRA is given for comparison. Chemical symbol arrows are given to show the signal of each element located at the film surface.
Fig. 6
First derivative AES survey spectrum of oxide/nitride film obtained after dry oxidation of SiNx and annealed at 700 °C during 30 min.
Fig. 7
The EDX spectrum of a typical oxide/nitride film with similar amounts of nitrogen and oxygen. Electron beam energy: 5 keV and the detection take-off angle 35°.
Fig. 8
Correlation between O/Si and N/Si with annealing temperature determined by EDX in oxide/nitride film oxidized at 950 °C during 3 hours. The SiNx films were deposited by PECVD with R = 6.