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Materials Science-Poland
Band 33 (2015): Heft 4 (December 2015)
Uneingeschränkter Zugang
Properties of AlN thin films deposited by means of magnetron sputtering for ISFET applications
Piotr Firek
Piotr Firek
,
Michał Wáskiewicz
Michał Wáskiewicz
,
Bartłomiej Stonio
Bartłomiej Stonio
und
Jan Szmidt
Jan Szmidt
| 06. Jan. 2016
Materials Science-Poland
Band 33 (2015): Heft 4 (December 2015)
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Online veröffentlicht:
06. Jan. 2016
Seitenbereich:
669 - 676
Eingereicht:
13. Jan. 2014
Akzeptiert:
16. Juni 2015
DOI:
https://doi.org/10.1515/msp-2015-0095
Schlüsselwörter
ISFET/MISFET technology
,
AlN
,
aluminum nitride
,
magnetron sputtering
© 2015 Piotr Firek et al., published by De Gruyter Open
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 License.
Piotr Firek
Institute of Microelectronics and Optoelectronics Warsaw University of Technology
Warsaw, Poland
Michał Wáskiewicz
Institute of Microelectronics and Optoelectronics Warsaw University of Technology
Warsaw, Poland
Bartłomiej Stonio
Institute of Microelectronics and Optoelectronics Warsaw University of Technology
Warsaw, Poland
Jan Szmidt
Institute of Microelectronics and Optoelectronics Warsaw University of Technology
Warsaw, Poland