Logowanie
Zarejestruj się
Zresetuj hasło
Publikuj i Dystrybuuj
Rozwiązania Wydawnicze
Rozwiązania Dystrybucyjne
Dziedziny
Architektura i projektowanie
Bibliotekoznawstwo i bibliologia
Biznes i ekonomia
Chemia
Chemia przemysłowa
Filozofia
Fizyka
Historia
Informatyka
Inżynieria
Inżynieria materiałowa
Językoznawstwo i semiotyka
Kulturoznawstwo
Literatura
Matematyka
Medycyna
Muzyka
Nauki farmaceutyczne
Nauki klasyczne i starożytne studia bliskowschodnie
Nauki o Ziemi
Nauki o organizmach żywych
Nauki społeczne
Prawo
Sport i rekreacja
Studia judaistyczne
Sztuka
Teologia i religia
Zagadnienia ogólne
Publikacje
Czasopisma
Książki
Materiały konferencyjne
Wydawcy
Blog
Kontakt
Wyszukiwanie
EUR
USD
GBP
Polski
English
Deutsch
Polski
Español
Français
Italiano
Koszyk
Home
Czasopisma
Materials Science-Poland
Tom 31 (2013): Zeszyt 3 (August 2013)
Otwarty dostęp
Analysis of MIS equivalent electrical circuit of Au/Pd/Ti-SiO2-GaAs structure based on DLTS measurements
S. Kochowski
S. Kochowski
,
Ł. Drewniak
Ł. Drewniak
,
K. Nitsch
K. Nitsch
,
R. Paszkiewicz
R. Paszkiewicz
oraz
B. Paszkiewicz
B. Paszkiewicz
| 29 sie 2013
Materials Science-Poland
Tom 31 (2013): Zeszyt 3 (August 2013)
O artykule
Poprzedni artykuł
Następny artykuł
Abstrakt
Referencje
Autorzy
Artykuły w tym zeszycie
Podgląd
PDF
Zacytuj
Udostępnij
Data publikacji:
29 sie 2013
Zakres stron:
446 - 453
DOI:
https://doi.org/10.2478/s13536-013-0124-6
Słowa kluczowe
MIS structure
,
deep levels
,
interface states
,
admittance spectroscopy
,
DLTS
© 2013 Wroclaw University of Technology
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 License.