Otwarty dostęp

First-principles study of doping and distribution of Si in TiC

H. Ding

H. Ding

Wyszukaj tego autora
Sciendo|Google Scholar
Ding, H.
, 
T. Ci

T. Ci

Wyszukaj tego autora
Sciendo|Google Scholar
Ci, T.
, 
K. Chu

K. Chu

Wyszukaj tego autora
Sciendo|Google Scholar
Chu, K.
 oraz 
J. Wang

J. Wang

Wyszukaj tego autora
Sciendo|Google Scholar
Wang, J.
  
20 kwi 2013
First-principles study of doping and distribution of Si in TiC's Cover Image
O artykule
Poprzedni artykuł
Następny artykuł
Zacytuj
Pobierz okładkę
Data publikacji: 20 kwi 2013
Zakres stron: 259 - 263
DOI: https://doi.org/10.2478/s13536-012-0095-z
Słowa kluczowe
© 2013 Wroclaw University of Technology
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 License.
Ding, H.
Ci, T.
Chu, K.
Wang, J.
Język:
Angielski
Częstotliwość wydawania:
4 razy w roku
Dziedziny czasopisma:
Nauka o materiałach, Nauka o materiałach, inne, Nanomateriały, Funkcjonalne i inteligentne materiały, Charakterystyka i właściwości materiałów
Kanał RSS czasopisma