Logowanie
Zarejestruj się
Zresetuj hasło
Publikuj i Dystrybuuj
Rozwiązania Wydawnicze
Rozwiązania Dystrybucyjne
Dziedziny
Architektura i projektowanie
Bibliotekoznawstwo i bibliologia
Biznes i ekonomia
Chemia
Chemia przemysłowa
Filozofia
Fizyka
Historia
Informatyka
Inżynieria
Inżynieria materiałowa
Językoznawstwo i semiotyka
Kulturoznawstwo
Literatura
Matematyka
Medycyna
Muzyka
Nauki farmaceutyczne
Nauki klasyczne i starożytne studia bliskowschodnie
Nauki o Ziemi
Nauki o organizmach żywych
Nauki społeczne
Prawo
Sport i rekreacja
Studia judaistyczne
Sztuka
Teologia i religia
Zagadnienia ogólne
Publikacje
Czasopisma
Książki
Materiały konferencyjne
Wydawcy
Blog
Kontakt
Wyszukiwanie
EUR
USD
GBP
Polski
English
Deutsch
Polski
Español
Français
Italiano
Koszyk
Home
Czasopisma
Materials Science-Poland
Tom 29 (2011): Zeszyt 1 (March 2011)
Otwarty dostęp
Electrically active defects in SiC Schottky barrier diodes
Łukasz Gelczuk
Łukasz Gelczuk
,
Maria Dąbrowska-szata
Maria Dąbrowska-szata
oraz
Zdzisław Synowiec
Zdzisław Synowiec
| 03 sie 2011
Materials Science-Poland
Tom 29 (2011): Zeszyt 1 (March 2011)
O artykule
Poprzedni artykuł
Następny artykuł
Abstrakt
Referencje
Autorzy
Artykuły w tym zeszycie
Podgląd
PDF
Zacytuj
Udostępnij
Data publikacji:
03 sie 2011
Zakres stron:
70 - 75
DOI:
https://doi.org/10.2478/s13536-011-0012-x
Słowa kluczowe
SiC
,
Schottky diode
,
deep-level defect
,
DLTS
© 2011 Wroclaw University of Technology
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 License.