Logowanie
Zarejestruj się
Zresetuj hasło
Publikuj i Dystrybuuj
Rozwiązania Wydawnicze
Rozwiązania Dystrybucyjne
Dziedziny
Architektura i projektowanie
Bibliotekoznawstwo i bibliologia
Biznes i ekonomia
Chemia
Chemia przemysłowa
Filozofia
Fizyka
Historia
Informatyka
Inżynieria
Inżynieria materiałowa
Językoznawstwo i semiotyka
Kulturoznawstwo
Literatura
Matematyka
Medycyna
Muzyka
Nauki farmaceutyczne
Nauki klasyczne i starożytne studia bliskowschodnie
Nauki o Ziemi
Nauki o organizmach żywych
Nauki społeczne
Prawo
Sport i rekreacja
Studia judaistyczne
Sztuka
Teologia i religia
Zagadnienia ogólne
Publikacje
Czasopisma
Książki
Materiały konferencyjne
Wydawcy
Blog
Kontakt
Wyszukiwanie
EUR
USD
GBP
Polski
English
Deutsch
Polski
Español
Français
Italiano
Koszyk
Home
Czasopisma
Materials Science-Poland
Tom 36 (2018): Zeszyt 4 (December 2018)
Otwarty dostęp
Role of molybdenum ions in lead zinc phosphate glass system by means of dielectric studies
P. Venkateswara Rao
P. Venkateswara Rao
,
G. Naga Raju
G. Naga Raju
,
P. Syam Prasad
P. Syam Prasad
,
T. Satyanarayana
T. Satyanarayana
,
L. Srinivasa Rao
L. Srinivasa Rao
,
F. Goumeidane
F. Goumeidane
,
M. Iezid
M. Iezid
,
W. Marltan
W. Marltan
,
G. Sahaya Baskaran
G. Sahaya Baskaran
oraz
N. Veeraiah
N. Veeraiah
| 01 lut 2019
Materials Science-Poland
Tom 36 (2018): Zeszyt 4 (December 2018)
O artykule
Poprzedni artykuł
Następny artykuł
Abstrakt
Referencje
Autorzy
Artykuły w tym zeszycie
Podgląd
PDF
Zacytuj
Udostępnij
Data publikacji:
01 lut 2019
Zakres stron:
623 - 629
Otrzymano:
11 lip 2017
Przyjęty:
20 kwi 2018
DOI:
https://doi.org/10.2478/msp-2018-0074
Słowa kluczowe
electrical and dielectric properties
,
quantum mechanical tunneling
,
AC conductivity
,
relaxation dynamics
© 2018 P. Venkateswara Rao et al., published by Sciendo
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 License.
P. Venkateswara Rao
Department of Physics, University of the West Indies
Mona Campus, Jamaica
G. Naga Raju
Department of Physics, Acharya Nagarjuna University
Guntur, India
P. Syam Prasad
Department of Physics, National Institute of Technology Warangal,
Warangal, India
T. Satyanarayana
Department of Electronics and Instrumentation Engineering, Lakireddy Bali Reddy College of Engineering
India
L. Srinivasa Rao
Department of Humanities and Sciences (Physics), VNR Vignana Jyothi Institute of Engineering and Technology,
Hyderabad, India
F. Goumeidane
Laboratory of Active Components and Materials, Larbi Ben M’hidi University
Oum El Bouaghi, Algeria
M. Iezid
Laboratoire d’Innovation en construction, Eco-conception et Génie Sismique (LICEGS), Université Mostafa Ben Boulaid Batna
Algeria
W. Marltan
Department of Physics, University of the West Indies
Mona Campus, Jamaica
G. Sahaya Baskaran
Departmentof Physics, Andhra Loyola College
Vijayawada, India
N. Veeraiah
Department of Physics, Acharya Nagarjuna University
Guntur, India