Otwarty dostęp

Elastic Constants of Tetragonal Cu2ZnSnS4 Semiconductor: AB-Initio Calculation

L. Boutahar

L. Boutahar

Laboratoire Matériaux et Systèmes Electroniques, Faculté des Sciences et de la Technologie, Université Mohamed Elbachir El Ibrahimi de Bordj Bou ArreridjAlgérie
Wyszukaj tego autora
Sciendo|Google Scholar
Boutahar, L.
, 
A. Benamrani

A. Benamrani

Département des Sciences et Techniques, Faculté des Sciences et de la Technologie, Université Mohamed Elbachir El Ibrahimi de Bordj Bou ArreridjAlgérie
Wyszukaj tego autora
Sciendo|Google Scholar
Benamrani, A.
, 
Z. Er

Z. Er

Istanbul Technical University, Maritime FacultyTuzla-Istanbul, Turkey
Wyszukaj tego autora
Sciendo|Google Scholar
Er, Z.
, 
N. Bioud

N. Bioud

  • Laboratoire d’Optoélectronique et Composants, Faculté des Sciences, Université Ferhat ABBAS Sétif-1,SétifAlgérie
  • Faculté des Sciences et de la Technologie, Université Mohamed Elbachir El Ibrahimide Bordj Bou ArreridjAlgérie
Wyszukaj tego autora
Sciendo|Google Scholar
Bioud, N.
 oraz 
Z. Rouabah

Z. Rouabah

Laboratoire Matériaux et Systèmes Electroniques, Faculté des Sciences et de la Technologie, Université Mohamed Elbachir El Ibrahimi de Bordj Bou ArreridjAlgérie
Wyszukaj tego autora
Sciendo|Google Scholar
Rouabah, Z.
  
28 lis 2022
Elastic Constants of Tetragonal Cu2ZnSnS4 Semiconductor: AB-Initio Calculation's Cover Image
O artykule
Poprzedni artykuł
Następny artykuł
Zacytuj
Pobierz okładkę
Data publikacji: 28 lis 2022
Zakres stron: 55 - 67
Otrzymano: 08 mar 2022
Przyjęty: 10 cze 2022
DOI: https://doi.org/10.2478/awutp-2022-0004
Słowa kluczowe
© 2022 L. Boutahar et al., published by Sciendo
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
Język:
Angielski
Częstotliwość wydawania:
1 razy w roku
Dziedziny czasopisma:
Nauka o materiałach, Modelowanie i symulacje, Fizyka, Fizyka teoretyczna i matematyczna, Fizyka materii skondensowanej, Fizyka medyczna
Kanał RSS czasopisma