Logowanie
Zarejestruj się
Zresetuj hasło
Publikuj i Dystrybuuj
Rozwiązania Wydawnicze
Rozwiązania Dystrybucyjne
Dziedziny
Architektura i projektowanie
Bibliotekoznawstwo i bibliologia
Biznes i ekonomia
Chemia
Chemia przemysłowa
Filozofia
Fizyka
Historia
Informatyka
Inżynieria
Inżynieria materiałowa
Językoznawstwo i semiotyka
Kulturoznawstwo
Literatura
Matematyka
Medycyna
Muzyka
Nauki farmaceutyczne
Nauki klasyczne i starożytne studia bliskowschodnie
Nauki o Ziemi
Nauki o organizmach żywych
Nauki społeczne
Prawo
Sport i rekreacja
Studia judaistyczne
Sztuka
Teologia i religia
Zagadnienia ogólne
Publikacje
Czasopisma
Książki
Materiały konferencyjne
Wydawcy
Blog
Kontakt
Wyszukiwanie
EUR
USD
GBP
Polski
English
Deutsch
Polski
Español
Français
Italiano
Koszyk
Home
Czasopisma
Materials Science-Poland
Tom 33 (2015): Zeszyt 3 (September 2015)
Otwarty dostęp
First-principles study of atomic structure and electronic properties of Si and F doped anatase TiO
2
Hongping Li
Hongping Li
,
Lin Chen
Lin Chen
,
Shuai Liu
Shuai Liu
,
Changsheng Li
Changsheng Li
,
Jian Meng
Jian Meng
oraz
Zhongchang Wang
Zhongchang Wang
| 30 sie 2016
Materials Science-Poland
Tom 33 (2015): Zeszyt 3 (September 2015)
O artykule
Poprzedni artykuł
Następny artykuł
Abstrakt
Referencje
Autorzy
Artykuły w tym zeszycie
Podgląd
PDF
Zacytuj
Udostępnij
Data publikacji:
30 sie 2016
Zakres stron:
549 - 554
Otrzymano:
04 lis 2014
Przyjęty:
19 maj 2015
DOI:
https://doi.org/10.1515/msp-2015-0081
Słowa kluczowe
anatase TiO2
,
Si/F co-doping
,
first-principles
,
electronic properties
© 2016
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 License.