Logowanie
Zarejestruj się
Zresetuj hasło
Publikuj i Dystrybuuj
Rozwiązania Wydawnicze
Rozwiązania Dystrybucyjne
Dziedziny
Architektura i projektowanie
Bibliotekoznawstwo i bibliologia
Biznes i ekonomia
Chemia
Chemia przemysłowa
Filozofia
Fizyka
Historia
Informatyka
Inżynieria
Inżynieria materiałowa
Językoznawstwo i semiotyka
Kulturoznawstwo
Literatura
Matematyka
Medycyna
Muzyka
Nauki farmaceutyczne
Nauki klasyczne i starożytne studia bliskowschodnie
Nauki o Ziemi
Nauki o organizmach żywych
Nauki społeczne
Prawo
Sport i rekreacja
Studia judaistyczne
Sztuka
Teologia i religia
Zagadnienia ogólne
Publikacje
Czasopisma
Książki
Materiały konferencyjne
Wydawcy
Blog
Kontakt
Wyszukiwanie
EUR
USD
GBP
Polski
English
Deutsch
Polski
Español
Français
Italiano
Koszyk
Home
Czasopisma
Journal of Electrical Engineering
Tom 68 (2017): Zeszyt 1 (January 2017)
Otwarty dostęp
Determination of temperature dependent parameters of zero-phonon line in photo-luminescence spectrum of silicon-vacancy centre in CVD diamond thin films
Kateřina Dragounová
Kateřina Dragounová
,
Zdeněk Potůček
Zdeněk Potůček
,
Štěpán Potocký
Štěpán Potocký
,
Zdeněk Bryknar
Zdeněk Bryknar
oraz
Alexander Kromka
Alexander Kromka
| 14 mar 2017
Journal of Electrical Engineering
Tom 68 (2017): Zeszyt 1 (January 2017)
O artykule
Poprzedni artykuł
Następny artykuł
Abstrakt
Referencje
Autorzy
Artykuły w tym zeszycie
Podgląd
PDF
Zacytuj
Udostępnij
Data publikacji:
14 mar 2017
Zakres stron:
74 - 78
Otrzymano:
07 lip 2016
DOI:
https://doi.org/10.1515/jee-2017-0010
Słowa kluczowe
silicon vacancy centres
,
photoluminescence
,
low temperature
,
diamond
,
CVD
© Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Slovak University of Technology
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 License.