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Journal of Electrical Engineering
Volume 63 (2012): Numero 5 (September 2012)
Accesso libero
Hydrogenated amorphous silicon carbon nitride films prepared by PECVD technology: properties
Jozef Huran
Jozef Huran
,
Albín Valovič
Albín Valovič
,
Michal Kučera
Michal Kučera
,
Angela Kleinová
Angela Kleinová
,
Eva Kovačcová
Eva Kovačcová
,
Pavol Boháček
Pavol Boháček
e
Mária Sekáčová
Mária Sekáčová
| 20 nov 2012
Journal of Electrical Engineering
Volume 63 (2012): Numero 5 (September 2012)
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Pubblicato online:
20 nov 2012
Pagine:
333 - 335
DOI:
https://doi.org/10.2478/v10187-012-0049-z
Parole chiave
hydrogenated amorphous silicon carbon nitride
,
PECVD
This content is open access.