Login
Registrati
Reimposta password
Pubblica & Distribuisci
Soluzioni Editoriali
Soluzioni di Distribuzione
Temi
Architettura e design
Arti
Business e Economia
Chimica
Chimica industriale
Farmacia
Filosofia
Fisica
Geoscienze
Ingegneria
Interesse generale
Legge
Letteratura
Linguistica e semiotica
Matematica
Medicina
Musica
Scienze bibliotecarie e dell'informazione, studi library
Scienze dei materiali
Scienze della vita
Scienze informatiche
Scienze sociali
Sport e tempo libero
Storia
Studi classici e del Vicino Oriente antico
Studi culturali
Studi ebraici
Teologia e religione
Pubblicazioni
Riviste
Libri
Atti
Editori
Blog
Contatti
Cerca
EUR
USD
GBP
Italiano
English
Deutsch
Polski
Español
Français
Italiano
Carrello
Home
Riviste
Journal of Electrical Engineering
Volume 62 (2011): Numero 5 (September 2011)
Accesso libero
Ohmic Contacts to p-GaN Using Au/Ni-Zn-O Metallization
Jozef Liday
Jozef Liday
,
Peter Vogrinčič
Peter Vogrinčič
,
Ivan Hotový
Ivan Hotový
,
Helmut Sitter
Helmut Sitter
e
Alberta Bonanni
Alberta Bonanni
| 24 ott 2011
Journal of Electrical Engineering
Volume 62 (2011): Numero 5 (September 2011)
INFORMAZIONI SU QUESTO ARTICOLO
Articolo precedente
Articolo Successivo
Sommario
Bibliografia
Autori
Articoli in questo Numero
Anteprima
PDF
Cita
CONDIVIDI
Pubblicato online:
24 ott 2011
Pagine:
309 - 312
DOI:
https://doi.org/10.2478/v10187-011-0049-4
Parole chiave
p-GaN
,
Au/Ni-Zn-O/p-GaN contact structure
,
AES depth profiling
,
low resistance ohmic contact
This content is open access.
Jozef Liday
Faculty of Electrical Engineering and Information Technology STU, Institute of Electronics and Photonics, Ilkovičova 3, 812 19 Bratislava, Slovakia
Peter Vogrinčič
Faculty of Electrical Engineering and Information Technology STU, Institute of Electronics and Photonics, Ilkovičova 3, 812 19 Bratislava, Slovakia
Ivan Hotový
Faculty of Electrical Engineering and Information Technology STU, Institute of Electronics and Photonics, Ilkovičova 3, 812 19 Bratislava, Slovakia
Helmut Sitter
Institute of Semiconductor and Solid State Physics, Johannes Kepler University, Altenbergerstr. 69, A-4040 Linz, Austria
Alberta Bonanni
Institute of Semiconductor and Solid State Physics, Johannes Kepler University, Altenbergerstr. 69, A-4040 Linz, Austria