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Journal of Electrical Engineering
Volumen 62 (2011): Edición 5 (September 2011)
Acceso abierto
Ohmic Contacts to p-GaN Using Au/Ni-Zn-O Metallization
Jozef Liday
Jozef Liday
,
Peter Vogrinčič
Peter Vogrinčič
,
Ivan Hotový
Ivan Hotový
,
Helmut Sitter
Helmut Sitter
y
Alberta Bonanni
Alberta Bonanni
| 24 oct 2011
Journal of Electrical Engineering
Volumen 62 (2011): Edición 5 (September 2011)
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Publicado en línea:
24 oct 2011
Páginas:
309 - 312
DOI:
https://doi.org/10.2478/v10187-011-0049-4
Palabras clave
p-GaN
,
Au/Ni-Zn-O/p-GaN contact structure
,
AES depth profiling
,
low resistance ohmic contact
This content is open access.
Jozef Liday
Faculty of Electrical Engineering and Information Technology STU, Institute of Electronics and Photonics, Ilkovičova 3, 812 19 Bratislava, Slovakia
Peter Vogrinčič
Faculty of Electrical Engineering and Information Technology STU, Institute of Electronics and Photonics, Ilkovičova 3, 812 19 Bratislava, Slovakia
Ivan Hotový
Faculty of Electrical Engineering and Information Technology STU, Institute of Electronics and Photonics, Ilkovičova 3, 812 19 Bratislava, Slovakia
Helmut Sitter
Institute of Semiconductor and Solid State Physics, Johannes Kepler University, Altenbergerstr. 69, A-4040 Linz, Austria
Alberta Bonanni
Institute of Semiconductor and Solid State Physics, Johannes Kepler University, Altenbergerstr. 69, A-4040 Linz, Austria