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Journal of Electrical Engineering
Volume 62 (2011): Numero 2 (March 2011)
Accesso libero
Epitaxial Growth of GaP/In
x
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In
≥ 0.27) Virtual Substrate for Optoelectronic Applications
Stanislav Hasenöhrl
Stanislav Hasenöhrl
,
Jozef Novák
Jozef Novák
,
Ivo Vávra
Ivo Vávra
,
Ján Šoltýs
Ján Šoltýs
,
Michal Kučera
Michal Kučera
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Alexander Šatka
Alexander Šatka
| 07 giu 2011
Journal of Electrical Engineering
Volume 62 (2011): Numero 2 (March 2011)
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Pubblicato online:
07 giu 2011
Pagine:
93 - 98
DOI:
https://doi.org/10.2478/v10187-011-0015-1
Parole chiave
crystal structure
,
organometallic vapor phase epitaxy (OMVPE)
,
semiconducting III-V materials
This content is open access.
Stanislav Hasenöhrl
Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Dúbravská cesta 9, 842 39 Bratislava, Slovakia
Jozef Novák
Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Dúbravská cesta 9, 842 39 Bratislava, Slovakia
Ivo Vávra
Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Dúbravská cesta 9, 842 39 Bratislava, Slovakia
Ján Šoltýs
Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Dúbravská cesta 9, 842 39 Bratislava, Slovakia
Michal Kučera
Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Dúbravská cesta 9, 842 39 Bratislava, Slovakia
Alexander Šatka
Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Slovak University of Technology Bratislava, Ilkovičova 3, 812 19 Bratislava, Slovakia