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Journal of Electrical Engineering
Volume 62 (2011): Numero 2 (March 2011)
Accesso libero
Epitaxial Growth of GaP/In
x
Ga
1-
x
P (
x
In
≥ 0.27) Virtual Substrate for Optoelectronic Applications
Stanislav Hasenöhrl
Stanislav Hasenöhrl
,
Jozef Novák
Jozef Novák
,
Ivo Vávra
Ivo Vávra
,
Ján Šoltýs
Ján Šoltýs
,
Michal Kučera
Michal Kučera
e
Alexander Šatka
Alexander Šatka
| 07 giu 2011
Journal of Electrical Engineering
Volume 62 (2011): Numero 2 (March 2011)
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Pubblicato online:
07 giu 2011
Pagine:
93 - 98
DOI:
https://doi.org/10.2478/v10187-011-0015-1
Parole chiave
crystal structure
,
organometallic vapor phase epitaxy (OMVPE)
,
semiconducting III-V materials
This content is open access.