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Materials Science-Poland
Volume 29 (2011): Numero 4 (December 2011)
Accesso libero
Reactive ion etching of GaN and AlGaN/GaN assisted by Cl2/BCl3
J. Gryglewicz
J. Gryglewicz
,
W. Oleszkiewicz
W. Oleszkiewicz
,
M. Ramiączek-Krasowska
M. Ramiączek-Krasowska
,
A. Szyszka
A. Szyszka
,
J. Prażmowska
J. Prażmowska
,
B. Paszkiewicz
B. Paszkiewicz
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R. Paszkiewicz
R. Paszkiewicz
e
M. Tłaczała
M. Tłaczała
| 08 mag 2012
Materials Science-Poland
Volume 29 (2011): Numero 4 (December 2011)
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Pubblicato online:
08 mag 2012
Pagine:
260 - 265
DOI:
https://doi.org/10.2478/s13536-011-0045-1
Parole chiave
plasma
,
RIE
,
reactive ion etching
,
Cl2
,
BCl3
,
HEMT
© 2011 Wroclaw University of Technology
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 License.