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Reactive ion etching of GaN and AlGaN/GaN assisted by Cl2/BCl3

J. Gryglewicz

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W. Oleszkiewicz

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M. Ramiączek-Krasowska

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B. Paszkiewicz

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Paszkiewicz, R.
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M. Tłaczała

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Tłaczała, M.
  
08. Mai 2012
Reactive ion etching of GaN and AlGaN/GaN assisted by Cl2/BCl3's Cover Image
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Online veröffentlicht: 08. Mai 2012
Seitenbereich: 260 - 265
DOI: https://doi.org/10.2478/s13536-011-0045-1
Schlüsselwörter
© 2011 Wroclaw University of Technology
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 License.
Sprache:
Englisch
Zeitrahmen der Veröffentlichung:
4 Hefte pro Jahr
Fachgebiete der Zeitschrift:
Materialwissenschaft, Materialwissenschaft, andere, Nanomaterialien, Funktionelle und Intelligente Materialien, Charakterisierung und Eigenschaften von Materialien
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